Hybrid Memory Cube sẽ là lời giải cho bài toán "nghẽn cổ chai" băng thông bộ nhớ trong tương lai gần. Ảnh: Techspot.
Công nghệ chip nhớ Hybrid Memory Cube được một nhóm các nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới gồm Samsung Electronic và Micron Technology nghiên cứu, phát triển cách đây không lâu nhằm vượt qua những giới hạn công nghệ DDR3 và DDR4 SDRAM hiện nay.
Tương tự kỹ thuật xếp chồng nhiều lớp DRAM trong kiến trúc đồ họa Volta nhằm giải quyết bài toán “nghẽn cổ chai” băng thông bộ nhớ mà Nvidia vừa chia sẻ tại hội thảo công nghệ chip xử lý đồ họa (GPU Technology Conference) của hãng, Hybrid Memory Cube cũng ghép nối nhiều lớp chip DRAM trên cùng một lớp vật lý (logic layer) và chia sẻ kết nối liên tuyến theo phương dọc trong không gian 3 chiều (công nghệ Vertical Interconnect Access).
Bên cạnh đó, việc thiết kế các chip xử lý (CPU) và chip nhớ Hybrid Memory Cube nằm trên cùng đế bán dẫn mang lại băng thông nhanh hơn và lớn hơn cho việc truy xuất dữ liệu giữa chip xử lý và chip nhớ.
Theo nhóm các nhà phát triển Hybrid Memory Cube, công nghệ chip nhớ này có khả năng cung cấp băng thông mức 160 GB/giây và có thể đạt tối đa là 320 GB/giây; cao hơn gần 15 lần so với chip DDR3 tiêu chuẩn (11 GB/giây) và gấp 8 lần so với mức 20 GB/giây của DDR4 trong khi mức tiêu thụ điện năng chỉ bằng khoảng 70% DDR3.
Dù vậy, nhóm các nhà phát triển Hybrid Memory Cube cũng cho biết sẽ mất hơn 3 năm để những sản phẩm đầu tiên xuất hiện trên thị trường. Tuy nhiên, theo Micron Technology, hãng sẽ sớm triển khai những nguyên mẫu đầu tiên vào quý III năm nay và đi vào sản xuất thương mại vào nửa đầu năm sau.
Theo Đông Quân (VNE)