Nghiên cứu của nữ sinh 18 tuổi Eesha Khare, đến từ trường Trung học Lynbrook ở Saratoga, California đã nhận được giải thưởng Nhà khoa học trẻ với số tiền thưởng 50.000 USD tại Triển lãm Kỹ thuật và Khoa học quốc tế của Intel (ISEF).
Trả lời phỏng vấn trên CNN, Khare cho biết niềm đam mê của cô là hoá học nano. Cô bé đã phát minh ra một thiết bị “siêu tụ điện” có thể lưu trữ rất nhiều điện năng trên một không gian rất bé. Nhờ đó, điện thoại có thể được sạc đầy pin chỉ trong 20-30 giây.
Thiết bị của nữ sinh này có chu kỳ tái sử dụng trong 10.000 sạc lại, so với số lần sạc lại của các thế hệ pin hiện nay là 1.000.
Eesha Khare đang trình diễn khả năng sạc pin siêu nhanh từ thiết bị do cô sáng chế.
Hiện tại, Eesha Khare đang sử dụng “siêu tụ điện” để sạc pin cho loại đèn LED. Giới công nghệ đánh giá, trong tương lai, phát minh này sẽ rất hữu hiệu. Công nghệ này sẽ là “trợ thủ đắc lực” cho những người thường xuyên sử dụng điện thoại, và các thiết bị di động hay laptop... Theo đó, con người sẽ không còn phải dùng đến các ổ cắm điện với dây rợ lằng nhằng và chờ đợi trong nhiều giờ đồng hồ.
Trong 1.600 nhà khoa học trẻ tham dự ISEF, Eesha Khare được các nhà khoa học trao giải thưởng. Cô cho biết cô sẽ dành số tiền của giải thưởng để trang trải học phí và tiếp tục nghiên cứu.
Cũng tham gia tại ISEF, Đoàn Việt Nam đoạt 2 giải Tư thuộc lĩnh vực Điện và cơ khí; Vật liệu và Công nghệ Sinh học.
Theo Khôi Linh (Dân trí)