iPhone sẽ sử dụng chip được sản xuất tại Mỹ?

0:00 / 0:00
0:00
(PLO)- Chia sẻ với CNBC, Tim Cook cho biết Apple sẽ sử dụng chip được sản xuất tại một nhà máy mới ở Arizona (Mỹ). 

Trước đó không lâu, TSMC (công ty sản xuất chất bán dẫn lớn nhất thế giới) đã công bố kế hoạch xây dựng 2 nhà máy mới tại Arizona (Mỹ). Nhà máy đầu tiên ở Phoenix dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất chip vào năm 2024, trong khi đó nhà máy thứ hai sẽ đi vào hoạt động từ năm 2026.

Đầu năm nay, Tổng thống Biden đã ký Đạo luật CHIPS và Khoa học thành luật, bao gồm hàng tỉ USD ưu đãi cho các công ty xây dựng nhà máy sản xuất chip trên đất Mỹ.

Nhà máy của TSMC ở Arizona sẽ bắt đầu hoạt động vào năm 2024. Ảnh: TSMC

Nhà máy của TSMC ở Arizona sẽ bắt đầu hoạt động vào năm 2024. Ảnh: TSMC

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. (TSMC) là công ty sản xuất chất bán dẫn lớn nhất thế giới, trong đó Apple chiếm đến 25% doanh thu của công ty.

TSMC đã tăng hơn gấp 3 lần quy mô đầu tư vào Mỹ, từ 12 triệu USD lên 40 triệu USD và dự kiến sẽ sản xuất 600.000 tấm wafer mỗi năm, đủ để đáp ứng nhu cầu hàng năm của Mỹ, theo Hội đồng Kinh tế Quốc gia.

Bất chấp những vấn đề khó khăn đang xảy ra trên toàn cầu, TSMC vẫn tiếp tục phát triển mạnh. Trong tháng 11, doanh thu của công ty đã tăng vọt 50,2% so với cùng kỳ năm ngoái lên 7,27 tỉ USD.

TSMC và Samsung có kế hoạch sản xuất chip 2 nm vào năm 2025

Chipset Apple A13 Bionic trên iPhone 11 series được sản xuất theo quy trình 7 nm và có 8,5 tỉ bóng bán dẫn. A16 Bionic, được sử dụng để cung cấp năng lượng cho dòng iPhone 14 Pro năm nay, được sản xuất bằng quy trình 4 nm (thực chất là quy trình 5 nm nâng cao) và mang gần 16 tỉ bóng bán dẫn. Số lượng bóng bán dẫn trong chip càng lớn thì càng mạnh mẽ và tiết kiệm năng lượng.

Theo một số nguồn tin, TSMC và Samsung dự kiến sẽ sản xuất chip 2 nm vào năm 2025.

Giám đốc điều hành của Intel - Pat Gelsinger cho biết công ty sẽ giành lại vị trí dẫn đầu trong ngành sản xuất chip từ TSMC và Samsung vào năm 2025.

Gelsinger đang dựa trên sự lạc quan của mình về việc Intel sử dụng kiến trúc bóng bán dẫn RibbonFET, tương tự như Gate-All-Around (GAA) mà Samsung đang sử dụng trên các dòng chip 3 nm.

Với GAA, các tấm nano sẽ được xếp chồng lên nhau theo chiều dọc, giúp giảm rò rỉ và có thể cải thiện mật độ bóng bán dẫn.

Intel cũng đánh giá cao công nghệ PowerVia, cho phép các bóng bán dẫn lấy năng lượng điện từ một bên của chip trong khi phía bên kia được sử dụng để kết nối với các liên kết dữ liệu.