Apple dùng chip nhớ kém ổn định khiến iPhone 6 Plus bị 'treo'

BusinessKorea cho biết, người dùng sở hữu iPhone 6 Plus bản 128 GB đã gặp phải vấn đề nghiêm trọng, không rõ nguyên nhân nhưng khiến máy bị treo hoặc tự khởi động lại. Nhận định ban đầu nói rằng, sự cố này có thể do Apple sử dụng bộ nhớ flash NAND TLC (triple-level cell) cho model dung lượng cao thay vì loại NAND MLC (multi-level cell).

1339738-1-3771-1415413870.jpg

Ngoài mẫu phablet, một số chiếc iPhone 6 bản 64 GB cũng gặp vấn đề tương tự. Tin đồn cho biết Apple đã nhận thức được vấn đề này và nguyên nhân thực sự đến từ việc hãng trang bị bộ nhớ flash NAND TLC cho dòng smartphone đời mới. Công ty Cupertino được cho là đã ngừng sử dụng linh kiện này để quay về dùng flash NAND MLC như các thế hệ trước đây.

Chưa có bất kỳ thống kê nào về số khách hàng gặp sự cố bộ nhớ dẫn đến treo máy trên các mẫu iPhone thế hệ mới. Về phía Apple, hãng chưa đưa ra bình luận nào song một số nguồn tin cho biết sẽ không có chương trình thu hồi sản phẩm bị lỗi. Thay vào đó, Apple có thể khắc phục vấn đề này bằng bản cập nhật phần mềm trong thời gian tới.

NAND TLC flash là một loại bộ nhớ thể rắn với khả năng lưu trữ 3 bit thông tin trên mỗi cell. Khả năng lưu dữ liệu trên NAND TLC cao gấp ba lần so với loại SLC (single-level cell) và gấp 1,5 lần so với loại MLC mà Apple dùng trên iPhone các thế hệ trước. Ưu điểm của TLC NAND là giá thành rẻ hơn so với hai loại trên song tồn tại nhược điểm là tốc độ đọc/ghi chậm hơn, hạn chế về độ tin cậy cũng như tuổi thọ kém hơn. Một số loại ổ cứng thể rắn (SSD) sử dụng flash TLC cũng tình trạng tương tự.

Apple đã phát hành iOS 8.1.1 beta dành cho các lập trình viên vào đầu tuần này nhưng không nhắc đến việc khắc phục vấn đề tự khởi động lại hay treo máy trên iPhone 6, iPhone 6 Plus. Khách hàng gặp sự cố trên được khuyến cáo mang máy đến các của hàng của Apple để kiểm tra và có thể được đổi mới.

Theo Đình Nam (VNE)

Đọc thêm